Datasheet下载- 型号： TK56E12N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK56E12N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK56E12N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK56E12N1,S1X封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK56E12N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK56E12N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK56E12N1,S1X 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管属于 MOSFET - 单 类别，是一款 N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻和高效率的特点。 该MOSFET主要适用于以下应用场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS），因其高效率和快速开关特性，适合用于提升能效和减小电源体积。 2. 电机驱动：可用于电动工具、风扇、泵类等小型电机的控制电路中，提供稳定可靠的开关控制。 3. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车、储能系统或高功率便携设备中，用于电池充放电控制和保护电路。 4. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件等。 5. 工业自动化设备：如PLC、变频器、伺服驱动器等工业控制设备中的功率开关元件。 该器件采用小型封装，便于在空间受限的电路中使用，同时具备良好的热稳定性和耐用性，适合中高功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 4200 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 120V 56A TO-220MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 112 A |
| Id-连续漏极电流 | 112 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK56E12N1 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK56E12N1,S1X- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK56E12N1 |
| 产品型号 | TK56E12N1,S1XTK56E12N1,S1X |
| Pd-PowerDissipation | 168 W |
| Pd-功率耗散 | 168 W |
| Qg-GateCharge | 69 nC |
| Qg-栅极电荷 | 69 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 120 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4200pF @ 60V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 28A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK56E12N1S1X |
| 典型关闭延迟时间 | 73 ns |
| 功率-最大值 | 168W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 56A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
