Datasheet下载- 型号： DMN601WK-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN601WK-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN601WK-7价格参考。Diodes Inc.DMN601WK-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN601WK-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN601WK-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN601WK-7 是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的单MOSFET器件。该型号采用SOT-23封装，具有低导通电阻、小尺寸和高可靠性等特点，适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现低功耗待机与快速响应。 2. 电压反转与电平转换：在数字电路中用于逻辑电平转换，例如将3.3V信号转换为5V或反之，适用于微控制器与外围器件之间的接口匹配。 3. 电机驱动与LED驱动：作为低端开关控制小型直流电机或LED的开启与关闭，广泛应用于消费类电子产品和小型家电。 4. 过流保护与热插拔电路：配合其他元件实现短路保护和防反接功能，提升系统安全性。 DMN601WK-7具备-60V的漏源电压（VDS）和-1A的连续漏极电流（ID），适合中低压应用环境。其低栅极电荷和快速开关特性有助于提高系统效率并减少发热。由于采用小型表面贴装封装，特别适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3MOSFET N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
| Id-连续漏极电流 | 800 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN601WK-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN601WK-7 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2000 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | DMN601WKDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2000 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 300 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA （Ta） |
| 系列 | DMN601W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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