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  • 型号: SIJ470DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIJ470DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIJ470DP-T1-GE3价格参考。VishaySIJ470DP-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIJ470DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIJ470DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SIJ470DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制和低导通电阻的应用中。该器件采用小型 TSOP 封装,适合对空间要求较高的设计。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器和电压调节模块,有助于提高能效并延长电池寿命。

2. 电机控制与驱动电路:在小型电机、风扇或继电器的驱动电路中作为开关元件使用,实现对电流的快速控制。

3. 负载开关与热插拔应用:用于服务器、通信设备和工业控制系统中,作为高可靠性负载开关,防止过流或短路造成损坏。

4. 汽车电子系统:如车载信息娱乐系统、电动窗控制、LED 照明调光等,满足汽车环境下的高可靠性和稳定性需求。

5. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,利用其小尺寸和低功耗特性进行内部电源路径管理。

SIJ470DP-T1-GE3 凭借其高性能与紧凑封装,广泛应用于消费类、工业及汽车领域的多种功率控制场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SIJ470DP-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

ThunderFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2050pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

56nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9.1 毫欧 @ 20A,10V

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIJ470DP-T1-GE3DKR

功率-最大值

56.8W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

58.8A(Tc)

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