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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIJ470DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIJ470DP-T1-GE3价格参考。VishaySIJ470DP-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIJ470DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIJ470DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIJ470DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制和低导通电阻的应用中。该器件采用小型 TSOP 封装,适合对空间要求较高的设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器和电压调节模块,有助于提高能效并延长电池寿命。 2. 电机控制与驱动电路:在小型电机、风扇或继电器的驱动电路中作为开关元件使用,实现对电流的快速控制。 3. 负载开关与热插拔应用:用于服务器、通信设备和工业控制系统中,作为高可靠性负载开关,防止过流或短路造成损坏。 4. 汽车电子系统:如车载信息娱乐系统、电动窗控制、LED 照明调光等,满足汽车环境下的高可靠性和稳定性需求。 5. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,利用其小尺寸和低功耗特性进行内部电源路径管理。 SIJ470DP-T1-GE3 凭借其高性能与紧凑封装,广泛应用于消费类、工业及汽车领域的多种功率控制场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIJ470DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | ThunderFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.1 毫欧 @ 20A,10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIJ470DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 56.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 58.8A(Tc) |