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VN2222LLG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VN2222LLG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VN2222LLG价格参考。ON SemiconductorVN2222LLG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 150mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3。您可以下载VN2222LLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VN2222LLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的VN2222LLG是一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于低电压、小信号及功率开关场景。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理:VN2222LLG适用于便携式设备中的电源管理电路,如负载开关、DC-DC转换器和LDO稳压器。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于提高效率并减少功耗。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动中,该MOSFET可用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 电池保护:用于锂电池保护电路中,作为充放电路径的开关,防止过流、短路或过充等异常情况。 4. 信号切换:在音频设备或通信系统中,VN2222LLG可用于信号切换,实现多路输入/输出的选择。 5. 消费电子:广泛应用于手机、平板电脑、数码相机等消费电子产品中的开关和控制功能。 6. LED驱动:适合于单颗或多颗LED的驱动电路,提供高效、稳定的电流控制。 7. 数据通信接口:用于USB端口保护、RS-232接口电路等,提供快速开关和保护功能。 总之,VN2222LLG凭借其低电压操作能力(Vgs(th)低至1V)、小封装(SOT-23)和高开关速度,非常适合需要紧凑设计和高效能的小型化电子应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92MOSFET 60V 150mA N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 150 mA |
Id-连续漏极电流 | 150 mA |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor VN2222LLG- |
数据手册 | |
产品型号 | VN2222LLG |
Pd-PowerDissipation | 0.4 W |
Pd-功率耗散 | 400 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | VN2222LLGOS |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 400mW |
功率耗散 | 0.4 W |
包装 | 散装 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 7.5 Ohms |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 150 mA |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 150mA (Ta) |
系列 | VN2222LL |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |