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BUK762R9-40E,118产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK762R9-40E,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK762R9-40E,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK762R9-40E,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 234W(Tc) D2PAK。您可以下载BUK762R9-40E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK762R9-40E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BUK762R9-40E,118 是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - BUK762R9-40E,118 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的开与关,减少能量损耗。 - 常见应用包括适配器、充电器和 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,实现对电机速度和方向的精确控制。 - 其快速开关特性和低导通损耗有助于提高电机驱动效率。 3. 负载切换 - 在消费电子设备中,BUK762R9-40E,118 可用作负载切换开关,控制不同模块的供电状态,例如 USB 端口、显示屏或其他外设。 - 它的高耐压能力(40V)确保了在瞬态电压下的可靠性。 4. 电池管理 - 该器件适用于锂电池或铅酸电池管理系统中的充放电控制电路。它可以保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。 - 在便携式设备中,其低功耗特性有助于延长电池寿命。 5. LED 驱动 - 在 LED 照明应用中,BUK762R9-40E,118 可用于恒流驱动电路,确保 LED 发光亮度稳定。 - 它支持 PWM 调光功能,适合需要调光的照明场景。 6. 工业控制 - 该 MOSFET 可用于工业自动化设备中的信号隔离和功率放大电路,例如继电器驱动、传感器接口等。 - 其耐用性和稳定性使其能够在恶劣环境下可靠运行。 7. 汽车电子 - 在汽车电子领域,BUK762R9-40E,118 可用于车身控制模块(BCM)、电动车窗、雨刷器等系统的功率控制。 - 它的高可靠性和抗干扰能力满足汽车级要求。 总结来说,BUK762R9-40E,118 凭借其优异的电气性能和紧凑的封装设计,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域,特别是在需要高效功率转换和控制的场景中表现突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAKMOSFET BUK762R9-40E/D2PAK/REEL13 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK762R9-40E,118TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BUK762R9-40E,118 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 234 W |
Pd-功率耗散 | 234 W |
Qg-GateCharge | 79 nC |
Qg-栅极电荷 | 79 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 29 ns |
下降时间 | 32 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 79nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.9 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 568-9880-6 |
典型关闭延迟时间 | 54 ns |
功率-最大值 | 234W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |