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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3483CDV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3483CDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3483CDV-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI3483CDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3483CDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3483CDV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:适用于降压或升压转换器中的开关元件,提供高效的功率转换。 - 负载开关:用于动态控制电路的通断,确保设备在待机模式下的低功耗。 - 电池管理:在便携式设备中,用于电池充放电保护和电流调节。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:用于驱动玩具、家用电器等的小型电机,实现高效的速度和方向控制。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机控制。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和信号切换。 - USB 充电接口保护:防止过流、过压等问题,确保充电安全。 4. 通信设备 - 信号切换:在通信系统中用于高频信号的快速切换。 - 射频前端:用于低噪声放大器和其他射频模块的功率控制。 5. 工业应用 - 传感器接口:用于工业自动化中的传感器供电和信号处理。 - 继电器替代:用作固态继电器,减少机械磨损并提高可靠性。 6. 汽车电子 - 车载电子系统:如信息娱乐系统、车窗升降器、座椅调节等。 - LED 照明驱动:用于汽车内外 LED 灯光的亮度调节和保护。 SI3483CDV-T1-GE3 的低 Rds(on)(典型值为 7.5 mΩ)使其非常适合需要高效功率传输和低功耗的应用场景。同时,其出色的热性能和小封装(DFN2020-2L)也使其成为空间受限设计的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOPMOSFET 30V 8.0A 4.2W 34mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.1 A |
Id-连续漏极电流 | 6.1 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68603 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3483CDV-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI3483CDV-T1-GE3SI3483CDV-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 34 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 34 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 135 ns, 15 ns |
下降时间 | 15 ns, 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 34 毫欧 @ 6.1A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | SI3483CDV-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 25 ns, 30 ns |
功率-最大值 | 4.2W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI3483CDV-GE3 |