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Datasheet下载- 型号： BUK962R8-60E,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK962R8-60E,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK962R8-60E,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK962R8-60E,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK962R8-60E,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK。您可以下载BUK962R8-60E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK962R8-60E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK962R8-60E,118 是一款P沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的高效能开关应用。 2. 汽车电子：用于车载系统如车身控制模块、照明系统及车载充电器等，满足汽车工业对可靠性和效率的要求。 3. 工业自动化：在电机驱动、继电器替代和高侧开关电路中提供稳定性能。 4. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板和智能手机中的电源管理系统。 该器件具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（60V）和优良热性能，适合高频开关操作，有助于提升系统效率与节能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK962R8-60E,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-10251-1 |
| 功率-最大值 | 324W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
