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产品简介:
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IRLR3715ZTRL 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于低电压、低导通电阻的功率 MOSFET,具有出色的开关性能和高效率,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电机驱动 - IRLR3715ZTRL 的低导通电阻(典型值为2.8mΩ)使其非常适合用于高效电机驱动电路中。它可以驱动直流无刷电机(BLDC)、步进电机或其他小型电机,广泛应用于家用电器(如风扇、吸尘器)、电动工具和自动化设备。 2. 电源管理 - 在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可用作同步整流器或主开关,提供高效的电压转换。其快速开关特性和低损耗特性使其适合于笔记本电脑适配器、汽车电子系统和工业电源模块。 - 它还可用于电池管理系统(BMS),控制电池充放电过程中的电流流动。 3. 负载开关 - 作为负载开关,IRLR3715ZTRL 可以实现对下游电路的快速开启和关闭,同时减少功率损耗。这种应用常见于消费电子产品、通信设备和物联网设备中。 4. 汽车电子 - 在汽车领域,该器件可用于车身控制系统、启动/停止系统、LED 照明驱动以及电动助力转向(EPS)等场景。其符合 AEC-Q101 标准的版本可满足汽车级可靠性要求。 5. 信号切换 - IRLR3715ZTRL 的低栅极电荷和快速开关速度使其适合用于高频信号切换应用,例如音频放大器中的开关电路或数据通信设备中的信号路由。 6. 太阳能微逆变器 - 在分布式光伏发电系统中,这款 MOSFET 可用于微型逆变器的设计,帮助将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。 特性总结 - 低导通电阻:减少传导损耗,提高系统效率。 - 快速开关速度:支持高频操作,降低开关损耗。 - 高电流能力:连续漏极电流可达 89A(Tc=25°C),适合大功率应用。 - 低栅极电荷:简化驱动设计并提高效率。 总之,IRLR3715ZTRL 是一款高性能的功率 MOSFET,适用于需要高效能量转换和低功耗的多种应用场景,尤其在消费电子、工业控制和汽车电子领域表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 49A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRLR3715ZTRL |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.55V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 15A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 49A (Tc) |