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Datasheet下载- 型号： BUK662R7-55C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK662R7-55C,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK662R7-55C,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK662R7-55C,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK662R7-55C,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK。您可以下载BUK662R7-55C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK662R7-55C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK662R7-55C,118 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，属于晶体管中的 FET 类别。该器件具有低导通电阻（典型值为 2.7mΩ @ VGS=10V），支持高电流和高效能操作，适用于对效率和热管理要求较高的电源系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器中，特别是在服务器、通信设备和工业电源中，实现高效的电压转换。 2. 电机驱动：适用于电动工具、家用电器及工业控制中的小型电机驱动电路，提供快速开关响应和低功耗运行。 3. 电池管理系统（BMS）：在便携式设备和电动交通工具的电池保护电路中，作为充放电控制开关，确保系统安全与效率。 4. 照明系统：用于 LED 驱动电源，支持恒流输出与高能效工作。 5. 热插拔与负载开关：在电信和数据中心设备中，用于实现电路板的热插拔保护和电源路径控制。 BUK662R7-55C,118 采用 LFPAK56（PowerSO-8）封装，具备优良的散热性能和可靠性，适合自动化生产。其高雪崩耐量和坚固的栅极氧化层设计，增强了在严苛环境下的稳定性，是工业、汽车和消费类电子中理想的选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH D2PACK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK662R7-55C,118 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 258nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-6900-6 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
