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  • 型号: IRFR12N25DPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR12N25DPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR12N25DPBF价格参考。International RectifierIRFR12N25DPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR12N25DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR12N25DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRFR12N25DPBF 是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电源管理系统中。

 主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于提高能效和减小体积。
2. 电机控制:用于电动工具、家用电器和工业电机驱动中的功率开关。
3. 负载开关与继电器替代:在需要快速开关和高可靠性的场合取代传统机械继电器。
4. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车、储能系统中的充放电控制。
5. 照明系统:如LED驱动器,提供高效稳定的电流控制。
6. 工业自动化设备:用于PLC、变频器、伺服系统等工业控制模块中。

该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(250V)和良好的热性能,适合中高功率应用。其封装形式(DPAK)便于散热和焊接,适用于表面贴装工艺,适合批量生产和自动化装配。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRFR12N25DPBF

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

810pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

260 毫欧 @ 8.4A,10V

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

*IRFR12N25DPBF

功率-最大值

144W

包装

管件

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru12n25d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru12n25d.spi

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