Datasheet下载- 型号： SI5401DC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5401DC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5401DC-T1-GE3价格参考。VishaySI5401DC-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5401DC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5401DC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5401DC-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小型DFN封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：由于具备低导通电阻（RDS(on)）和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携产品中的电源管理与负载开关控制，有效延长电池续航。 2. 电源开关与热插拔电路：作为高端负载开关，用于控制电源通断，防止浪涌电流，保护系统电路，适用于USB电源管理、DC/DC转换器的辅助开关等场景。 3. 电机驱动与继电器驱动：在小功率电机或电磁继电器控制中，作为开关元件，实现对负载的快速、高效控制。 4. 电压反转与电平转换电路：在需要P沟道MOSFET进行电压切换或逻辑电平转换的数字电路中，SI5401DC-T1-GE3因其响应速度快、驱动能力强而被广泛应用。 5. 消费类电子产品：如无线耳机充电盒、智能手表、TWS耳机等对尺寸和功耗敏感的产品中，该器件凭借小封装和高效率优势，成为理想选择。 综上，SI5401DC-T1-GE3适用于高密度、低功耗的现代电子系统，尤其适合移动设备和便携式电源管理方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5401DC-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Ta） |
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