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- 型号： FQD18N20V2TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD18N20V2TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD18N20V2TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD18N20V2TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD18N20V2TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD18N20V2TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD18N20V2TF 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率开关的场合。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器，因其具有低导通电阻和高效率特性，有助于减少能量损耗并提高系统效率。 2. 电机控制：用于电动工具、家用电器及工业设备中的直流电机驱动与控制，提供快速开关响应和良好热稳定性。 3. 负载开关：作为电子负载开关使用于服务器、计算机主板或嵌入式系统中，实现对不同模块供电状态的精确控制。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中担任关键开关元件，支持将直流电转换为交流输出。 5. 照明系统：适用于LED照明调光电路或其他高强度放电灯镇流器设计，具备良好频率响应能力以适应PWM调光需求。 该器件采用TO-252封装形式，便于散热且适合表面贴装工艺，在成本敏感且空间受限的设计中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 15A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD18N20V2TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
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