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Datasheet下载- 型号： RT1A050ZPTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RT1A050ZPTR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RT1A050ZPTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RT1A050ZPTR价格参考。ROHM SemiconductorRT1A050ZPTR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 12V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST。您可以下载RT1A050ZPTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RT1A050ZPTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ROHM半导体的RT1A050ZPTR是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和小封装（如SOT-23），适合空间受限且对效率要求较高的设计。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源管理与负载开关；电池供电系统中的充电控制与放电保护；LED驱动电路中作为开关元件以实现亮度调节；以及各类小型电机驱动、DC-DC转换器中的同步整流或开关控制。此外，由于其良好的热稳定性和可靠性，也适用于工业控制模块、传感器开关电路及物联网（IoT）终端设备中的信号切换与电源管理功能。 RT1A050ZPTR因其高集成度和低功耗特性，在需要节能和小型化的现代电子产品中表现优异，特别适合用于替代传统三极管以提升系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 5A TSST8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | RT1A050ZPTR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-TSST |
| 其它名称 | RT1A050ZPCT |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
