Datasheet下载- 型号： SI4186DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4186DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4186DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4186DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4186DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4186DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4186DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装的特点，适用于对空间和效率要求较高的电子设备。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于电池供电设备中的电源切换与节能控制，如笔记本电脑、平板电脑和移动电源。 2. 负载开关：作为高效开关元件控制电机、LED 灯、风扇等负载的通断。 3. DC-DC 转换器：在同步整流电路中使用，提高转换效率，减小发热。 4. 保护电路：用于过流、欠压保护电路中，实现快速切断功能。 5. 工业控制系统：如 PLC、传感器模块和自动化设备中的信号与功率控制。 其 SOT-223 封装便于散热，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费类电子、工业控制及通信设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4186DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3630pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4186DY-T1-GE3-ND |
| 功率-最大值 | 6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35.8A (Tc) |
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