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  • 型号: NUD3124DMT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NUD3124DMT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NUD3124DMT1G价格参考。ON SemiconductorNUD3124DMT1G封装/规格:PMIC - 配电开关,负载驱动器, 。您可以下载NUD3124DMT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NUD3124DMT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NUD3124DMT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款专用半导体器件,属于PMIC(电源管理集成电路)中的配电开关/负载驱动器类别。该器件主要用于控制和驱动LED负载,特别适用于需要简单、高效、可靠LED驱动的场景。

典型应用场景包括:汽车电子系统中的车内照明(如顶灯、门控灯、仪表板背光)、车外信号灯(如转向灯、位置灯)、工业控制面板指示灯、消费类电子产品中的状态指示灯等。NUD3124DMT1G集成了多个达林顿晶体管结构,具备高电流增益和良好的开关特性,可直接由微控制器或逻辑信号驱动,有效降低主控负担。

该器件采用小型表面贴装封装(如SMT-1),节省PCB空间,适合紧凑型设计;同时具备过温保护和电流限制功能,提升系统可靠性。其宽工作电压范围和高抗干扰能力,使其在汽车和工业环境中表现稳定。此外,NUD3124DMT1G符合AEC-Q101车规认证,确保在恶劣温度与振动环境下长期可靠运行。

综上,NUD3124DMT1G广泛应用于对空间、效率和可靠性要求较高的LED驱动场合,尤其适合汽车和工业领域的低成本、高性能负载控制需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

IC INDCT LOAD DRVR AUTO SC74-6MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load

产品分类

PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

150 mA

Id-连续漏极电流

150 mA

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NUD3124DMT1GMicroIntegration™

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产品型号

NUD3124DMT1G

Pd-PowerDissipation

380 mW

Pd-功率耗散

380 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

800 mOhms at 5 V

RdsOn-漏源导通电阻

800 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

28 V

Vds-漏源极击穿电压

28 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

725 ns, 708 ns

下降时间

725 ns, 708 ns

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-74

其它名称

NUD3124DMT1GOSDKR

功率耗散

380 mW

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

800 毫欧

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

SC-74-6

工作温度

-40°C ~ 125°C

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 125 C

最小工作温度

- 40 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

28 V

漏极连续电流

150 mA

电压-电源

28V

电流-峰值输出

-

电流-输出/通道

200mA

类型

低端

系列

NUD3124

输入类型

非反相

输出数

2

通道模式

Enhancement

配置

Dual

闸/源击穿电压

12 V

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