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SI7655DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7655DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7655DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7655DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 40A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK® 1212-8S(3.3x3.3)。您可以下载SI7655DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7655DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7655DN-T1-GE3 是一款 N 沱道增强型功率 MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - 作为开关元件用于 DC-DC 转换器、降压或升压转换器中。 - 提供高效的开关性能,降低导通和开关损耗。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。 - 实现 PWM 控制以调节电机速度和扭矩。 3. 电池管理 - 在电池保护电路中用作开关,防止过充、过放或短路。 - 适用于便携式设备(如手机、笔记本电脑)的电池管理系统 (BMS)。 4. 负载开关 - 用作负载开关以控制电路中的电流流动。 - 提供快速的开启/关闭功能,同时减少功耗。 5. LED 驱动 - 在 LED 照明应用中用作恒流源或开关元件。 - 支持高效率的 PWM 调光功能。 6. 消费电子 - 应用于智能手机、平板电脑、数码相机等便携式设备。 - 提供低导通电阻以延长电池寿命。 7. 通信设备 - 用于路由器、交换机和其他网络设备的电源管理。 - 提供稳定的电压输出和高效的能量转换。 8. 汽车电子 - 适用于汽车信息娱乐系统、车载充电器和传感器接口。 - 符合车规级要求(需确认具体型号是否通过 AEC-Q101 认证)。 特性优势: - 低导通电阻:典型值为 15 mΩ(VGS = 10 V),有助于降低功耗。 - 高切换频率:支持高频开关应用,提升系统效率。 - 小封装尺寸:采用 DPAK (TO-263) 封装,适合空间受限的设计。 综上所述,SI7655DN-T1-GE3 凭借其优异的电气特性和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212MOSFET -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | - 40 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7655DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7655DN-T1-GE3SI7655DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 57 W |
| Pd-功率耗散 | 57 W |
| Qg-GateCharge | 72 nC |
| Qg-栅极电荷 | 72 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7655DN-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.6 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8S |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 40 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-si7655dn-p-channel-mosfet/2998 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7655DN-GE3 |