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  • 型号: SI7655DN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7655DN-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7655DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7655DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7655DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 40A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK® 1212-8S(3.3x3.3)。您可以下载SI7655DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7655DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI7655DN-T1-GE3 是一款 N 沱道增强型功率 MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - 作为开关元件用于 DC-DC 转换器、降压或升压转换器中。
   - 提供高效的开关性能,降低导通和开关损耗。

 2. 电机驱动
   - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。
   - 实现 PWM 控制以调节电机速度和扭矩。

 3. 电池管理
   - 在电池保护电路中用作开关,防止过充、过放或短路。
   - 适用于便携式设备(如手机、笔记本电脑)的电池管理系统 (BMS)。

 4. 负载开关
   - 用作负载开关以控制电路中的电流流动。
   - 提供快速的开启/关闭功能,同时减少功耗。

 5. LED 驱动
   - 在 LED 照明应用中用作恒流源或开关元件。
   - 支持高效率的 PWM 调光功能。

 6. 消费电子
   - 应用于智能手机、平板电脑、数码相机等便携式设备。
   - 提供低导通电阻以延长电池寿命。

 7. 通信设备
   - 用于路由器、交换机和其他网络设备的电源管理。
   - 提供稳定的电压输出和高效的能量转换。

 8. 汽车电子
   - 适用于汽车信息娱乐系统、车载充电器和传感器接口。
   - 符合车规级要求(需确认具体型号是否通过 AEC-Q101 认证)。

 特性优势:
- 低导通电阻:典型值为 15 mΩ(VGS = 10 V),有助于降低功耗。
- 高切换频率:支持高频开关应用,提升系统效率。
- 小封装尺寸:采用 DPAK (TO-263) 封装,适合空间受限的设计。

综上所述,SI7655DN-T1-GE3 凭借其优异的电气特性和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212MOSFET -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

- 40 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7655DN-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SI7655DN-T1-GE3SI7655DN-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

57 W

Pd-功率耗散

57 W

Qg-GateCharge

72 nC

Qg-栅极电荷

72 nC

RdsOn-漏源导通电阻

3.6 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6600pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

225nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.6 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SI7655DN-T1-GE3DKR

功率-最大值

57W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

3.6 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8S

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 40 A

漏源极电压(Vdss)

20V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-si7655dn-p-channel-mosfet/2998

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI7655DN-GE3

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