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Datasheet下载- 型号： 2SK3565(Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3565(Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3565(Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3565(Q,M)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3565(Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3565(Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SK3565(Q,M)、品牌为Toshiba Semiconductor and Storage的晶体管属于场效应晶体管（FET）中的MOSFET，为单管器件。该器件是一款N沟道增强型MOSFET，具有较高的开关速度和良好的导通特性，广泛应用于以下场景： 1. 电源管理电路：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，用于高效地切换电流路径，提升电源转换效率。 2. 马达驱动与负载开关：在小型电机控制、继电器替代或LED照明系统中，作为高速开关元件使用。 3. 音频放大器：用于音频功率放大电路中，提供低失真和高保真的信号放大效果。 4. 工业自动化控制：在PLC、传感器模块或工业控制板中，用于控制执行器或继电器的驱动电路。 5. 消费类电子产品：如电视、音响设备、充电器等中，用于电源开关或信号控制。 该MOSFET具备良好的热稳定性和耐用性，适合中低功率应用场景，尤其在需要高频开关和节能设计的电路中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK3565(Q,M) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 3A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | 2SK3565(Q) |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A（Ta） |
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