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  • 型号: SI4470EY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4470EY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4470EY-T1-E3价格参考。VishaySI4470EY-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4470EY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4470EY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4470EY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):SI4470EY-T1-E3 可用作开关电源中的功率开关,实现高效的直流-直流转换。
   - 负载开关:在便携式设备(如手机、平板电脑等)中,该 MOSFET 可作为负载开关,控制电路的通断以节省功耗。
   - 电池保护:用于锂电池管理系统中,防止过流、短路或反接等问题。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机驱动应用中,该 MOSFET 可用作驱动开关,控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 适用于消费类电子产品(如风扇、玩具、打印机等)中的低功率电机控制。

 3. 信号切换
   - 用于音频信号切换、数据信号隔离等场景,实现低导通电阻下的高效信号传输。
   - 在多路复用器中,作为信号路径的选择开关。

 4. 保护电路
   - 过流保护:利用其低导通电阻特性,检测异常电流并切断电路。
   - ESD 保护:配合其他器件,提供静电放电保护功能。

 5. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中,如车身控制模块 (BCM) 或车载信息娱乐系统中,作为功率开关或信号切换元件。
   - 应用于 LED 照明驱动、传感器接口等。

 6. 便携式设备
   - 适用于智能手机、笔记本电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中,实现高效电源管理和空间优化设计。

 特性优势
- 低导通电阻 (Rds(on)):降低功率损耗,提高效率。
- 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。
- 小封装尺寸 (TSSOP-6):便于在紧凑型设计中使用。

总之,SI4470EY-T1-E3 凭借其优异的性能和小巧的封装,成为低功率、高效率应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

SI4470EY-T1-E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA (最小)

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

70nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 毫欧 @ 12A,10V

产品目录页面

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供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4470EY-T1-E3DKR

功率-最大值

1.85W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Ta)

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