ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLR3103TRLPBF
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Datasheet下载- 型号： IRLR3103TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3103TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3103TRLPBF价格参考。International RectifierIRLR3103TRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak。您可以下载IRLR3103TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR3103TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRLR3103TRLPBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，且为单个器件。以下是该型号的应用场景：
1. 低电压驱动应用
- IRLR3103TRLPBF是一款逻辑电平增强型N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻（Rds(on)），适合在低电压环境下工作。其典型应用场景包括：
- 电池供电设备：如便携式电子设备、手持工具等。
- 低压电机控制：如小型直流电机驱动电路。
2. 开关电源（SMPS）
- 在开关电源中，该MOSFET可用作同步整流器或开关元件。其快速开关特性和低导通损耗使其适用于：
- DC-DC转换器
- 降压/升压转换器
3. 负载开关
- 负载开关用于动态控制电路中的电流流动，IRLR3103TRLPBF的低导通电阻有助于减少功率损耗，适用于：
- USB充电端口保护
- 电源管理模块
4. 电机驱动与控制
- 由于其出色的电流处理能力和快速开关速度，IRLR3103TRLPBF可用于驱动小型电机，例如：
- 消费类电子产品中的风扇或振动马达
- 伺服电机控制
5. 信号切换
- 在需要高频信号切换的场景中，该MOSFET能够提供可靠的性能，例如：
- 音频信号切换
- 数据通信线路切换
6. 保护电路
- 可用作过流保护或短路保护元件，确保系统安全运行。例如：
- 过流保护开关
- 热插拔保护
总结
IRLR3103TRLPBF凭借其低导通电阻、高效率和可靠性，广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备以及汽车电子等领域。选择该型号时需根据具体电路要求考虑散热设计和驱动条件，以确保最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 55A DPAKMOSFET MOSFT 30V 46A 19mOhm 33.3nC LogLvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 46 A |
| Id-连续漏极电流 | 46 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3103TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR3103TRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 69 W |
| Pd-功率耗散 | 69 W |
| Qg-GateCharge | 33.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 33.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 33A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr3103.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr3103.spi |
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