ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FCD600N60Z
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FCD600N60Z产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCD600N60Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD600N60Z价格参考。Fairchild SemiconductorFCD600N60Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 7.4A(Tc) 89W(Tc) D-Pak。您可以下载FCD600N60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCD600N60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCD600N60Z 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) FCD600N60Z 的高电压耐受能力(额定电压 600V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制功率传输,适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 该器件可用于驱动中小功率电机,例如家用电器中的风扇、水泵或电动工具中的电机。其低导通电阻特性有助于减少能耗并提高效率。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,FCD600N60Z 可作为关键的功率开关元件,将直流电转换为交流电。其快速开关速度和高可靠性满足逆变器对性能的要求。 4. 电磁兼容性(EMC)滤波电路 由于其出色的电气特性,FCD600N60Z 可用于 EMC 滤波电路中,帮助抑制电磁干扰,确保设备符合相关标准。 5. 负载开关 在需要动态控制负载电流的应用中,如工业自动化设备或汽车电子系统,FCD600N60Z 可用作高效的负载开关,实现精确的电流管理和保护功能。 6. 家电和消费电子 此 MOSFET 广泛应用于各类家电产品,如空调、冰箱、洗衣机等,以及消费电子产品,如充电器、适配器等,提供稳定可靠的功率控制。 7. 电动车及混合动力车(EV/HEV) 在电动车或混合动力车的辅助系统中,例如电池管理系统(BMS)、DC-DC 转换器或小型电机驱动器,FCD600N60Z 提供了高性能的功率切换解决方案。 8. 照明系统 对于 LED 照明驱动电路,该器件可实现高效的功率调节,支持恒流或恒压输出,同时降低热损耗。 总之,FCD600N60Z 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,在各种功率转换和控制场景中表现出色,适用于工业、消费、汽车等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N CH 600V 7.4A DPAKMOSFET 600V N-Channel MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.4 A |
Id-连续漏极电流 | 7.4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCD600N60ZSuperFETII® |
数据手册 | |
产品型号 | FCD600N60Z |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 89 W |
Pd-功率耗散 | 89 W |
Qg-GateCharge | 20 nC |
Qg-栅极电荷 | 20 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
上升时间 | 7 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1120pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 3.7A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | FCD600N60ZDKR |
典型关闭延迟时间 | 39 ns |
功率-最大值 | 89W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 6.7 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.4A (Tc) |
系列 | FCD600N60Z |
配置 | Single |