Datasheet下载- 型号： IXFX55N50
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX55N50由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX55N50价格参考。IXYSIXFX55N50封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFX55N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFX55N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXFX55N50是一种N沟道MOSFET晶体管，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：IXFX55N50的耐压值为500V，适用于高电压环境下的开关电源设计。它可以用作主开关管，在DC-DC转换器、AC-DC适配器等场景中实现高效的电能转换。 2. 电机驱动：该MOSFET适合用于工业控制和家用电器中的电机驱动电路。例如，它可以用来控制直流电机或步进电机的启停、转速和方向，特别是在高压环境下工作的电机系统。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，IXFX55N50可以作为功率级元件，将直流电转换为交流电，以满足不同负载的需求。 4. 负载切换与保护：由于其低导通电阻（Rds(on)约为0.8欧姆），IXFX55N50非常适合用作负载切换开关，能够减少功率损耗并提高效率。同时，它还可以应用于过流保护电路中，确保系统的安全运行。 5. 脉宽调制（PWM）控制器：在需要精确控制输出信号的应用中，如LED驱动器或音频放大器，IXFX55N50可以通过快速响应PWM信号来调节输出电流或电压。 6. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，这款MOSFET可用于电池充放电管理以及备用电源切换过程中，保证设备在主电源中断时平稳过渡到备用电源供电。 综上所述，IXFX55N50凭借其高耐压特性、较低的导通电阻及良好的热稳定性，广泛应用于各类电力电子设备中，尤其是在要求高效能、高可靠性的高压场合下表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247MOSFET 500V 55A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 55 A |
| Id-连续漏极电流 | 55 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFX55N50HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFX55N50 |
| Pd-PowerDissipation | 560 W |
| Pd-功率耗散 | 560 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 330nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 520W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 7.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 80 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 45 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 55 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55A （Tc） |
| 系列 | IXFX55N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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