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Datasheet下载- 型号： STB32NM50N
- 制造商： STMicroelectronics
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STB32NM50N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB32NM50N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB32NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTB32NM50N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 22A（Tc） 190W（Tc） TO-263（D²Pak）。您可以下载STB32NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB32NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB32NM50N是一款N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效功率切换和控制的场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） STB32NM50N适用于各种开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（500V）使其能够高效处理高压输入，并在高频开关条件下保持较低的功耗。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于小型电机驱动电路中，例如步进电机、直流无刷电机（BLDC）或有刷直流电机。其耐高压特性和快速开关能力可确保电机运行稳定且效率高。 3. 逆变器和太阳能系统 在光伏逆变器和其他可再生能源应用中，STB32NM50N可用于功率转换级，帮助将直流电转换为交流电。其高压性能非常适合处理太阳能电池板输出的高电压。 4. 负载开关和保护电路 该器件可以用作负载开关，在启动或关闭设备时提供精确的电流控制。同时，它也可以用于过流保护、短路保护等安全电路中，以防止系统损坏。 5. 家电和工业设备 STB32NM50N常用于家用电器（如洗衣机、空调、冰箱等）以及工业设备中的功率控制模块。例如，它可以用于压缩机驱动、风扇控制或其他需要高效功率管理的地方。 6. 汽车电子 虽然STB32NM50N并非专为汽车级设计，但在非关键性车载应用中（如照明控制、辅助电路等），它仍可以发挥作用。 总结来说，STB32NM50N凭借其500V的额定电压、32A的连续漏极电流能力和优秀的开关特性，适合应用于高压、高效率的功率转换与控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 500V 22A D2PAKMOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB32NM50NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB32NM50N |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 62.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 62.5 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 9.5 ns |
| 下降时间 | 23.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1973pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | 497-13264-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253998?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 130 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 22 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
| 系列 | STB32NM50N |
| 配置 | Single |
