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- 型号： HUF75332P3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75332P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75332P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75332P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75332P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75332P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75332P3是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，作为主开关或同步整流元件，因其低RDS(on)特性可有效降低导通损耗，提高能效。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如家用电器、电动工具和汽车电子中的风扇、泵类电机驱动，具备良好的开关速度和耐压能力。 3. 照明系统：在LED驱动电源中用于恒流控制或PWM调光电路，支持高频率开关操作，有助于实现紧凑高效的照明设计。 4. 消费电子：广泛应用于笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源部分，满足高密度、低功耗的设计需求。 5. 汽车电子：可用于车载电源系统、继电器替代或负载开关，具备一定的温度稳定性和可靠性，适应较宽的工作环境。 HUF75332P3具有30V漏源电压、低阈值门极电压和优异的热性能，适合高频、高效率的开关应用。其TO-220AB封装便于散热，适用于工业与消费类多种中低功率场景。总体而言，该器件在追求节能、小型化和高可靠性的电子系统中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 60A TO-220ABMOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75332P3UltraFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HUF75332P3 |
| Pd-PowerDissipation | 145 W |
| Pd-功率耗散 | 145 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 60A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | HUF75332P3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 145W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | HUF75332 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | HUF75332P3_NL |
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