Datasheet下载- 型号： STP28N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP28N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP28N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTP28N60M2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP28N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP28N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP28N60M2是一款N沟道MOSFET晶体管，其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）： STP28N60M2适用于开关电源中的功率开关。其600V的耐压能力使其能够承受高电压环境，而28A的连续漏极电流允许其在较高负载条件下运行。它常用于AC-DC转换器、DC-DC转换器和反激式电源中。 2. 电机驱动： 该MOSFET可用于驱动中小功率电机，例如直流无刷电机（BLDC）、步进电机或有刷直流电机。其低导通电阻（Rds(on)约为1.4Ω）有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，STP28N60M2可以作为功率开关使用，实现直流到交流的转换。其快速开关特性和耐高压能力非常适合此类应用。 4. 负载切换与保护： 该器件可用作负载切换开关，控制电路中的负载通断。同时，它也可以用作过流保护或短路保护元件，通过检测异常电流并迅速切断电路来保护系统。 5. 电池管理系统（BMS）： 在电池管理系统中，STP28N60M2可以用作电池充放电路径的开关，或者用于均衡多个串联电池单元的电压。 6. 工业自动化设备： 这款MOSFET广泛应用于工业控制领域，例如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和其他需要高可靠性功率开关的应用。 7. 汽车电子： 尽管STP28N60M2并非专门针对汽车级设计，但它仍可用于非关键车载应用，如车灯控制、风扇驱动或继电器替代等场景。 总结来说，STP28N60M2凭借其高耐压、适中的电流能力和较低的导通电阻，适合各种中低功率的电力电子应用，尤其是在需要高效能和可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 24A TO-220MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP28N60M2MDmesh™ II Plus |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP28N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 37 nC |
| Qg-栅极电荷 | 37 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1370pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14220-5 |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 120 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 24 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 系列 | STP28N60M2 |
| 配置 | Single |
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