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RZR025P01TL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RZR025P01TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RZR025P01TL价格参考¥1.31-¥1.93。ROHM SemiconductorRZR025P01TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 2.5A(Ta) 1W(Ta) TSMT3。您可以下载RZR025P01TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RZR025P01TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的型号RZR025P01TL是一款单通道MOSFET晶体管,主要应用于低电压、高效率的场景中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):该MOSFET可用于开关电源中的高频开关元件,提供高效的电力转换。 - DC-DC转换器:适用于降压或升压型DC-DC转换器,用于调节和稳定输出电压。 - 负载开关:在便携式设备中,用作负载开关以控制电路的通断,降低功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机。 - H桥电路:在需要双向控制的小功率电机应用中,作为H桥的一部分。 3. 电池管理系统(BMS) - 电池保护:用于锂离子电池或其他可充电电池的过充、过放保护电路。 - 电量监测:通过精确控制电流流动,实现对电池电量的实时监测。 4. 消费电子 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等,用于高效电源管理。 - USB接口保护:在USB充电或数据传输过程中,用于防止过流或短路。 5. 信号切换 - 多路复用器/解复用器:在信号切换电路中,用作高速信号的通断控制。 - 音频信号切换:在音频设备中,用于切换不同的输入或输出信号。 6. 汽车电子 - 车身控制模块(BCM):用于车窗升降、座椅调节等低功率负载的控制。 - LED驱动:为车内LED照明系统提供稳定的电流驱动。 7. 工业自动化 - 传感器接口:用于工业传感器的信号调理和驱动。 - 继电器替代:在需要快速开关的场合,用MOSFET替代传统机械继电器。 总结 RZR025P01TL凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性,广泛应用于低功耗、小型化和高性能要求的场景中。无论是消费电子、汽车电子还是工业自动化领域,它都能提供高效的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | - 2.5 A |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RZR025P01TL- |
数据手册 | |
产品型号 | RZR025P01TL |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
Qg-GateCharge | 13 nC |
Qg-栅极电荷 | 13 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 44 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 44 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 85 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 6V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 61 毫欧 @ 2.5A,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TSMT3 |
其它名称 | RZR025P01TLTR |
典型关闭延迟时间 | 130 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | TSMT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |