Datasheet下载- 型号： IRFL014TRPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL014TRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL014TRPBF价格参考￥1.65-￥1.96。VishayIRFL014TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFL014TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFL014TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFL014TRPBF 是一款 N 沫 FET（增强型场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类型。该型号具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合多种应用场景： 1. 电源管理：IRFL014TRPBF 常用于 DC-DC 转换器、电压调节模块 (VRM) 和开关模式电源 (SMPS) 中，提供高效的功率转换和稳定的电流输出。 2. 电机控制：在小型电机驱动应用中，如风扇、泵或伺服电机，这款 MOSFET 可以用作开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 电池保护与管理：适用于锂电池或其他可充电电池组的保护电路中，防止过流、短路等情况发生，确保电池安全使用。 4. 负载切换：在需要频繁开启或关闭负载的情况下，例如汽车电子设备中的继电器替代方案，该器件能够快速响应并减少能耗。 5. 信号放大与缓冲：可用于音频设备或其他模拟信号处理场合，作为信号放大的核心组件之一。 6. 通信设备：在基站、路由器等通信设施内，此 MOSFET 能够帮助构建高效能的射频前端及数据传输链路。 7. 消费电子产品：包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器以及智能家居产品在内的众多领域都可以看到它的身影。 总之，凭借其优异性能参数，IRFL014TRPBF 广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费类电子产品等多个行业，为各种电力电子系统提供了可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFL014TRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFL014TRPBFIRFL014TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | IRFL014PBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 2.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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