SUD23N06-31L-E3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SUD23N06-31L-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD23N06-31L-E3价格参考。VishaySUD23N06-31L-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 60V 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)。您可以下载SUD23N06-31L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD23N06-31L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SUD23N06-31L-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能，适用于多种电源管理与功率控制场景。该器件常用于直流-直流（DC-DC）转换器、同步整流电路、电机驱动、电源开关模块以及电池管理系统中。其60V的漏源电压和23A的大电流能力，使其在中等功率应用中表现优异。

典型应用场景包括：笔记本电脑和服务器的电源管理单元、便携式电子设备的负载开关、LED 驱动电源、UPS 不间断电源系统及工业控制设备中的功率切换。此外，由于其符合 RoHS 标准并采用无铅封装（如PowerPAK SO-8），适合对环保要求较高的消费类电子产品和汽车电子系统。

SUD23N06-31L-E3 还广泛应用于热插拔控制器和过流保护电路中，凭借快速响应能力和低导通损耗，有助于提高系统效率并减少发热。其小型化封装有利于节省PCB空间，适用于高密度电路设计。

综上，该MOSFET适用于需要高效、紧凑和可靠功率开关解决方案的各类电子系统，尤其适合追求能效与稳定性的现代电源设计。

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Vishay Siliconix 的 SUD23N06-31L-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能，适用于多种电源管理与功率控制场景。该器件常用于直流-直流（DC-DC）转换器、同步整流电路、电机驱动、电源开关模块以及电池管理系统中。其60V的漏源电压和23A的大电流能力，使其在中等功率应用中表现优异。

典型应用场景包括：笔记本电脑和服务器的电源管理单元、便携式电子设备的负载开关、LED 驱动电源、UPS 不间断电源系统及工业控制设备中的功率切换。此外，由于其符合 RoHS 标准并采用无铅封装（如PowerPAK SO-8），适合对环保要求较高的消费类电子产品和汽车电子系统。

SUD23N06-31L-E3 还广泛应用于热插拔控制器和过流保护电路中，凭借快速响应能力和低导通损耗，有助于提高系统效率并减少发热。其小型化封装有利于节省PCB空间，适用于高密度电路设计。

综上，该MOSFET适用于需要高效、紧凑和可靠功率开关解决方案的各类电子系统，尤其适合追求能效与稳定性的现代电源设计。