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  • 型号: PH2925U,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PH2925U,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH2925U,115价格参考。NXP SemiconductorsPH2925U,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PH2925U,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PH2925U,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PH2925U,115 是一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、小型封装和高可靠性等特点,适用于对空间和效率有要求的电路设计。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:在电池供电设备中作为高效开关使用,例如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等。
2. 负载开关:用于控制电源流向不同模块,如USB接口电源控制、外设供电切换等。
3. 电机驱动与继电器替代:在小型电机或电磁阀控制电路中,作为固态开关使用,提高系统响应速度与可靠性。
4. 工业控制系统:用于PLC、传感器模块、自动化设备中的信号与功率控制。
5. 消费类电子产品:如智能家电、LED照明调光系统中实现高效的功率调节。

PH2925U,115采用SOT-223封装,便于散热,适合需要紧凑布局和中等功率处理能力的设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PH2925U,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

950mV @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6150pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

92nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 毫欧 @ 25A,4.5V

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-2344-1

功率-最大值

62.5W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

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