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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PH2925U,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH2925U,115价格参考。NXP SemiconductorsPH2925U,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PH2925U,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PH2925U,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PH2925U,115 是一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、小型封装和高可靠性等特点,适用于对空间和效率有要求的电路设计。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:在电池供电设备中作为高效开关使用,例如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等。 2. 负载开关:用于控制电源流向不同模块,如USB接口电源控制、外设供电切换等。 3. 电机驱动与继电器替代:在小型电机或电磁阀控制电路中,作为固态开关使用,提高系统响应速度与可靠性。 4. 工业控制系统:用于PLC、传感器模块、自动化设备中的信号与功率控制。 5. 消费类电子产品:如智能家电、LED照明调光系统中实现高效的功率调节。 PH2925U,115采用SOT-223封装,便于散热,适合需要紧凑布局和中等功率处理能力的设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PH2925U,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6150pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 毫欧 @ 25A,4.5V |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-2344-1 |
功率-最大值 | 62.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |