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Datasheet下载- 型号： FDS8842NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8842NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8842NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8842NZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 14.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载FDS8842NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS8842NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS8842NZ 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其典型的应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) FDS8842NZ 由于其低导通电阻（Rds(on) = 25 mΩ @ Vgs = 10V）和快速开关特性，非常适合用于开关电源中的同步整流或功率级开关。它能够高效地控制电流流动，减少功率损耗。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中，该器件可以用作开关元件，实现对电机的启动、停止和速度控制。其低导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。 3. 负载开关 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，FDS8842NZ 可用作负载开关，用于动态管理不同电路模块的供电状态，从而优化电池续航时间。 4. 电池保护电路 该 MOSFET 常用于锂离子电池或其他可充电电池组的保护电路中，防止过充、过放或短路情况发生。通过快速切断电流路径来确保电池安全。 5. DC-DC 转换器 在降压或升压 DC-DC 转换器中，FDS8842NZ 可作为主开关或续流二极管替代品，提供高效的电压转换功能。其低栅极电荷特性有助于实现高频操作。 6. LED 驱动器 对于需要精确电流调节的 LED 照明应用，此 MOSFET 可用作 PWM 控制或恒流驱动中的关键组件，确保 LED 的亮度稳定且均匀。 7. 汽车电子系统 尽管其额定电压较低（Vds = 30V），但在某些非高压汽车子系统中（如信息娱乐设备或传感器接口），FDS8842NZ 仍能找到用武之地。 总之，FDS8842NZ 凭借其优异的电气性能和紧凑封装（SOT-23），广泛适用于便携式设备、工业控制、通信设备以及消费类电子产品等领域中的各种低功率、高效率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOICMOSFET 40V NCh PowerTrench w/MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 14.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8842NZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS8842NZ |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3845pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 73nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 14.9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS8842NZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14.9A （Ta） |
| 系列 | FDS8842 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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