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SI4490DY-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4490DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4490DY-T1-E3价格参考。VishaySI4490DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4490DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4490DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4490DY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):SI4490DY-T1-E3 具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适用于开关电源中的功率转换电路,例如降压、升压或反激式变换器。 - 负载开关:该器件可用作负载开关,控制电路中不同负载的开启和关闭,广泛应用于消费电子设备中。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:由于其低导通电阻和高效率,SI4490DY-T1-E3 可用于驱动小型直流电机,适用于玩具、家用电器和自动化设备。 - H 桥电路:在需要双向控制的电机应用中,该 MOSFET 可作为 H 桥的一部分,实现电机正转和反转功能。 3. 电池保护与管理 - 锂电池保护电路:该 MOSFET 可用于电池组的过流保护和短路保护电路中,防止电池因过载而损坏。 - 充电电路:在便携式设备的充电电路中,SI4490DY-T1-E3 可用作充电路径管理的开关元件。 4. 信号切换 - 音频信号切换:在音频设备中,该 MOSFET 可用于信号通道切换,确保低失真和高效切换。 - 数据线切换:在 USB 或其他高速数据接口中,MOSFET 可用作信号切换开关,实现多路信号的灵活控制。 5. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM):SI4490DY-T1-E3 可用于汽车电子中的各种控制模块,如车窗升降、座椅调节等。 - LED 驱动:在汽车照明系统中,该器件可用于驱动 LED 灯,提供高效的电流控制。 6. 工业控制 - 继电器替代:在工业自动化设备中,MOSFET 可以替代传统机械继电器,实现更快、更可靠的开关操作。 - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号传输,提高系统的响应速度和稳定性。 总结 SI4490DY-T1-E3 凭借其低导通电阻(典型值为 15 mΩ)、低栅极电荷和高电流处理能力(最大 drain 电流为 12 A),非常适合需要高效功率转换和快速开关的应用场景。其封装形式(TSSOP-6)也使其易于集成到紧凑型设计中,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOICMOSFET 200V 4A 3.1W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.85 A |
Id-连续漏极电流 | 2.85 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4490DY-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4490DY-T1-E3SI4490DY-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1.56 W |
Pd-功率耗散 | 1.56 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 20 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 80 毫欧 @ 4A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4490DY-T1-E3CT |
典型关闭延迟时间 | 32 ns |
功率-最大值 | 1.56W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.85A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI4490DY-E3 |