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  • 型号: SI4490DY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI4490DY-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4490DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4490DY-T1-E3价格参考。VishaySI4490DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4490DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4490DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4490DY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):SI4490DY-T1-E3 具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适用于开关电源中的功率转换电路,例如降压、升压或反激式变换器。
   - 负载开关:该器件可用作负载开关,控制电路中不同负载的开启和关闭,广泛应用于消费电子设备中。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:由于其低导通电阻和高效率,SI4490DY-T1-E3 可用于驱动小型直流电机,适用于玩具、家用电器和自动化设备。
   - H 桥电路:在需要双向控制的电机应用中,该 MOSFET 可作为 H 桥的一部分,实现电机正转和反转功能。

 3. 电池保护与管理
   - 锂电池保护电路:该 MOSFET 可用于电池组的过流保护和短路保护电路中,防止电池因过载而损坏。
   - 充电电路:在便携式设备的充电电路中,SI4490DY-T1-E3 可用作充电路径管理的开关元件。

 4. 信号切换
   - 音频信号切换:在音频设备中,该 MOSFET 可用于信号通道切换,确保低失真和高效切换。
   - 数据线切换:在 USB 或其他高速数据接口中,MOSFET 可用作信号切换开关,实现多路信号的灵活控制。

 5. 汽车电子
   - 车身控制模块 (BCM):SI4490DY-T1-E3 可用于汽车电子中的各种控制模块,如车窗升降、座椅调节等。
   - LED 驱动:在汽车照明系统中,该器件可用于驱动 LED 灯,提供高效的电流控制。

 6. 工业控制
   - 继电器替代:在工业自动化设备中,MOSFET 可以替代传统机械继电器,实现更快、更可靠的开关操作。
   - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号传输,提高系统的响应速度和稳定性。

 总结
SI4490DY-T1-E3 凭借其低导通电阻(典型值为 15 mΩ)、低栅极电荷和高电流处理能力(最大 drain 电流为 12 A),非常适合需要高效功率转换和快速开关的应用场景。其封装形式(TSSOP-6)也使其易于集成到紧凑型设计中,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOICMOSFET 200V 4A 3.1W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.85 A

Id-连续漏极电流

2.85 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4490DY-T1-E3TrenchFET®

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产品型号

SI4490DY-T1-E3SI4490DY-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.56 W

Pd-功率耗散

1.56 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

80 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

80 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

20 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA (最小)

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 4A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4490DY-T1-E3CT

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

1.56W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.85A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI4490DY-E3

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