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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA8N90C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA8N90C价格参考。Fairchild SemiconductorFQA8N90C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQA8N90C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA8N90C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA8N90C 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)。该器件广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于各类AC/DC和DC/DC转换器,如适配器、充电器、服务器电源等,用于提高转换效率并减小体积。 2. 电机控制:在直流电机或无刷电机驱动电路中作为功率开关使用,适用于电动工具、工业自动化设备等领域。 3. 照明系统:用于LED驱动电源中,支持高亮度LED的恒流驱动与调光控制。 4. 汽车电子:可用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)以及车灯控制模块等场景。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中用于实现电能的高效转换与管理。 FQA8N90C具备较高的耐压能力(900V)、导通电阻低、封装尺寸小、热性能优异等特点,适合高频率开关应用,有助于提升整体系统的效率与稳定性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQA8N90C |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2080pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.9 欧姆 @ 4A,10V |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 240W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |