ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IXTT140N10P
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IXTT140N10P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT140N10P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT140N10P价格参考。IXYSIXTT140N10P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 140A(Tc) 600W(Tc) TO-268。您可以下载IXTT140N10P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTT140N10P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXTT140N10P是一款N沟道增强型功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) - IXTT140N10P具有较低的导通电阻(Rds(on))和较高的漏极电流能力,适用于开关电源中的高频开关应用。例如,降压或升压转换器、反激式变换器等。 - 其100V的额定电压使其能够承受较高的电压波动,适合在工业级或消费级电源适配器中使用。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于小型直流电机驱动电路,提供高效的开关控制。其低导通电阻可以减少功率损耗,提高系统效率。 - 在机器人、无人机或其他需要精确速度和方向控制的设备中,IXTT140N10P可作为关键的功率开关元件。 3. 负载切换与保护 - 在需要快速开启或关闭高电流负载的应用中,如LED照明、汽车电子设备等,IXTT140N10P可以实现可靠的负载切换功能。 - 同时,它也可以用作过流保护或短路保护电路的一部分,确保系统的安全性。 4. 逆变器与变频器 - 该器件适用于小型逆变器的设计,用于将直流电转换为交流电。例如,太阳能微逆变器或家用应急电源系统。 - 在变频器应用中,IXTT140N10P可以参与调节输出频率和电压,以适应不同负载的需求。 5. 电池管理系统(BMS) - 在电池组充放电管理中,IXTT140N10P可以用作主开关或平衡开关,帮助实现精准的电流控制和电压均衡。 - 它的低导通电阻特性有助于降低功耗,延长电池使用寿命。 6. 音频放大器 - 在D类音频放大器中,IXTT140N10P可用作输出级开关,提供高效且失真较小的信号放大。 总结 IXTT140N10P凭借其出色的电气性能(如低Rds(on)、高电流承载能力和良好的热稳定性),广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景。无论是消费电子、工业自动化还是新能源领域,这款MOSFET都能发挥重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 140 A |
Id-连续漏极电流 | 140 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTT140N10PPolarHT™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTT140N10P |
Pd-PowerDissipation | 600 W |
Pd-功率耗散 | 600 W |
Qg-GateCharge | 155 nC |
Qg-栅极电荷 | 155 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 50 ns |
下降时间 | 26 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 155nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 70A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-268 |
典型关闭延迟时间 | 85 ns |
功率-最大值 | 600W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 4.500 g |
商标 | IXYS |
商标名 | PolarHT |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
封装/箱体 | TO-268-2 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 45 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 140A (Tc) |
系列 | IXTT140N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |