Datasheet下载- 型号： BSP316PE6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP316PE6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP316PE6327价格参考。InfineonBSP316PE6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSP316PE6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP316PE6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 BSP316PE6327 是一款由英飞凌生产的 P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于电源管理和开关电路中。 该MOSFET的主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源开关和负载管理。 2. DC-DC转换器：在各类电源转换模块中作为高频开关元件，实现高效的电压转换。 3. 电机控制与驱动电路：用于小型电机、风扇、继电器等负载的开关控制。 4. 电池供电设备：如充电器、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）中，用于实现高效率的电能控制。 5. 工业自动化设备：在PLC、传感器模块、工业控制板中作为低电压、中功率开关使用。 该器件采用 TSOP封装，具有体积小、导通电阻低、开关速度快等优点，适合高频、高效率应用。其工作温度范围较宽，可靠性高，适用于多种消费类和工业类电子产品。 总结来说，BSP316PE6327 主要应用于需要中低功率、高效能、小型化设计的电子系统中，特别是在电源管理与开关控制领域具有广泛适用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP316P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bcfdf4602 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSP316PE6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 170µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 146pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 欧姆 @ 680mA，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | BSP316PE6327INCT |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 680mA （Ta） |
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