Datasheet下载- 型号： ZXMN10A11GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN10A11GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN10A11GTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN10A11GTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN10A11GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN10A11GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN10A11GTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用场景： 1. 电源管理 - ZXMN10A11GTA 可用于 DC-DC 转换器中的功率开关，例如降压或升压转换器。其低 Rds(on) 特性有助于降低传导损耗，提高效率。 - 在线性稳压器中作为负载开关或旁路元件。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供高效的开关控制。 - 在 H 桥或半桥电路中用作功率开关，实现电机正转、反转及制动功能。 3. 电池管理系统 (BMS) - 用作电池保护电路中的负载开关，防止过流、短路或过放电。 - 在多节电池组中，可作为均衡电路的一部分，调节各节电池之间的电压差异。 4. 负载开关 - 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑）中，用作负载开关以实现快速开关和低功耗待机模式。 - 提供过流保护和软启动功能，避免电流冲击对系统的影响。 5. LED 驱动 - 在 LED 照明应用中，作为恒流源的开关元件，确保 LED 的亮度稳定。 - 支持 PWM 调光功能，实现亮度调节。 6. 信号切换 - 在通信设备或工业控制系统中，用于高速信号切换，确保信号完整性。 - 适用于音频信号切换或传感器信号隔离。 7. 汽车电子 - 用于车载电子设备中的负载控制，例如车窗升降器、雨刷电机、座椅调节等。 - 符合汽车级应用的严格要求，具备较高的可靠性和耐用性。 8. 便携式设备 - 在便携式设备（如蓝牙音箱、智能手表、无人机）中，作为功率开关或充电管理元件。 - 低导通电阻和小封装尺寸使其非常适合空间受限的设计。 ZXMN10A11GTA 的典型参数（如低 Rds(on)、高栅极阈值电压、小封装）使其成为高效、紧凑设计的理想选择，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223MOSFET 100V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN10A11GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN10A11GTA |
| Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
| Pd-功率耗散 | 3.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 1.7 ns |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 274pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 2.6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXMN10A11GCT |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 7.4 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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