ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN3R9-60PSQ
Datasheet下载- 型号： PSMN3R9-60PSQ
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R9-60PSQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R9-60PSQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R9-60PSQ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 130A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB。您可以下载PSMN3R9-60PSQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R9-60PSQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN3R9-60PSQ是一款60V、3.9mΩ（典型值）的N沟道增强型逻辑电平Power MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具备低导通电阻、高效率和强热性能。其主要应用场景包括： • DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器，提升能效并减小散热设计难度； • 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机驱动电路（如打印机、风扇、电动工具），支持PWM高频开关控制； • 负载开关与电源管理：在便携式设备、工控板卡中用作高效、低损耗的电源通断控制（e.g., USB供电路径管理、电池保护电路）； • LED驱动与照明系统：作为恒流调节或调光开关器件，满足高可靠性与低发热要求； • 汽车电子辅助系统：通过AEC-Q101认证，可用于车载座椅调节、车窗升降、雨刮器等12V/24V车载负载控制（非安全关键应用）。 该器件具有100%雪崩额定能力、优异的dv/dt抗扰性及强鲁棒性，适合高可靠性、紧凑型、高功率密度的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V SOT78 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN3R9-60PSQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 103nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-10288-5 |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tmb） |
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