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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ16T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ16T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ16T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 16V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ16T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ16T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ16T1G是由ON Semiconductor(现为安森美半导体)制造的单个齐纳二极管,具有广泛的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电压稳压 MMSZ16T1G常用于电路中的电压稳压。它能够在输入电压波动时保持输出电压的稳定,适用于需要精确电压参考的场合。例如,在电源电路中,它可以作为稳压元件,确保后续电路在一定范围内不受电源电压波动的影响。 2. 过压保护 该二极管可以用于防止电路中的瞬态过压现象。当电路中出现瞬间高压时,齐纳二极管会迅速导通,将多余的能量释放到地线或其他安全路径,从而保护敏感的电子元件免受损坏。这种应用常见于通信设备、传感器接口和电源管理模块中。 3. 基准电压源 MMSZ16T1G可以用作精密的基准电压源。由于其齐纳击穿电压稳定且精度较高,因此在需要高精度电压参考的场合(如模拟电路、ADC/DAC转换器等)中表现优异。它能够提供稳定的电压参考,确保测量或控制的准确性。 4. 信号箝位 在信号处理电路中,MMSZ16T1G可以用来箝位信号,防止信号超过预定范围。例如,在音频放大器或射频电路中,它可以限制输入信号的最大幅度,避免失真或损坏后续电路。 5. 温度补偿 某些情况下,MMSZ16T1G可以与其他元件配合使用,进行温度补偿。通过选择合适的齐纳电压值,可以在不同温度下保持电路性能的稳定性,尤其适用于对温度敏感的精密测量仪器或控制系统。 6. 浪涌保护 在电力系统或工业控制设备中,MMSZ16T1G可以用于吸收瞬态浪涌电流,防止雷击或其他外部干扰对电路造成损害。它能够在短时间内承受较大的电流冲击,并迅速恢复正常工作状态。 总结 MMSZ16T1G作为一种高性能的齐纳二极管,广泛应用于电压稳压、过压保护、基准电压源、信号箝位、温度补偿和浪涌保护等多个领域。其稳定性和可靠性使其成为许多电子设计中的关键元件,尤其是在对电压精度和电路保护要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 16V 500MW SOD123稳压二极管 16V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ16T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ16T1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 11.2V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ16T1G-ND |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 40 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 16V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ16 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 40 欧姆 |
| 齐纳电压 | 16 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |