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  • 型号: MMSZ16T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ16T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ16T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ16T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 16V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ16T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ16T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMSZ16T1G是由ON Semiconductor(现为安森美半导体)制造的单个齐纳二极管,具有广泛的应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电压稳压
MMSZ16T1G常用于电路中的电压稳压。它能够在输入电压波动时保持输出电压的稳定,适用于需要精确电压参考的场合。例如,在电源电路中,它可以作为稳压元件,确保后续电路在一定范围内不受电源电压波动的影响。

 2. 过压保护
该二极管可以用于防止电路中的瞬态过压现象。当电路中出现瞬间高压时,齐纳二极管会迅速导通,将多余的能量释放到地线或其他安全路径,从而保护敏感的电子元件免受损坏。这种应用常见于通信设备、传感器接口和电源管理模块中。

 3. 基准电压源
MMSZ16T1G可以用作精密的基准电压源。由于其齐纳击穿电压稳定且精度较高,因此在需要高精度电压参考的场合(如模拟电路、ADC/DAC转换器等)中表现优异。它能够提供稳定的电压参考,确保测量或控制的准确性。

 4. 信号箝位
在信号处理电路中,MMSZ16T1G可以用来箝位信号,防止信号超过预定范围。例如,在音频放大器或射频电路中,它可以限制输入信号的最大幅度,避免失真或损坏后续电路。

 5. 温度补偿
某些情况下,MMSZ16T1G可以与其他元件配合使用,进行温度补偿。通过选择合适的齐纳电压值,可以在不同温度下保持电路性能的稳定性,尤其适用于对温度敏感的精密测量仪器或控制系统。

 6. 浪涌保护
在电力系统或工业控制设备中,MMSZ16T1G可以用于吸收瞬态浪涌电流,防止雷击或其他外部干扰对电路造成损害。它能够在短时间内承受较大的电流冲击,并迅速恢复正常工作状态。

 总结
MMSZ16T1G作为一种高性能的齐纳二极管,广泛应用于电压稳压、过压保护、基准电压源、信号箝位、温度补偿和浪涌保护等多个领域。其稳定性和可靠性使其成为许多电子设计中的关键元件,尤其是在对电压精度和电路保护要求较高的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 16V 500MW SOD123稳压二极管 16V 500mW

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ16T1G-

数据手册

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产品型号

MMSZ16T1G

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50nA @ 11.2V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-123

其它名称

MMSZ16T1G-ND
MMSZ16T1GOSTR

功率-最大值

500mW

功率耗散

500 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123

封装/箱体

SOD-123

工作温度

-55°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

50 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

40 Ohms

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

16V

电压容差

5 %

系列

MMSZ16

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

40 欧姆

齐纳电压

16 V

齐纳电流

10 mA

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