ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4835DDY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4835DDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4835DDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4835DDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4835DDY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），5.6W（Tc） 8-SO。您可以下载SI4835DDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4835DDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4835DDY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：该 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)），适合用于高效能的降压或升压转换电路中，能够减少功率损耗并提高效率。 - 负载开关：在需要快速开启和关闭负载的场景中，如 USB 端口保护、电池供电设备等，SI4835DDY-T1-GE3 可作为理想的负载开关元件。 2. 电机驱动与控制 - 小型直流电机驱动：适用于驱动玩具、风扇、打印机等小型直流电机，提供高效的电流切换能力。 - H 桥电路：在需要双向控制的小功率电机应用中，可以用来构建 H 桥电路。 3. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电池管理和充电电路。 - 音频设备：用于音频放大器中的开关电路，确保信号的快速响应和低失真。 4. 通信设备 - 基站和路由器：在通信设备中用作电源开关或信号路径控制元件，保证系统的稳定性和可靠性。 - 信号调节：在高频信号处理中，MOSFET 的快速开关特性使其成为信号调节的理想选择。 5. 汽车电子 - 车身控制模块：用于车窗升降器、雨刷器、座椅调节等低功率负载的控制。 - LED 驱动：为汽车内部照明系统（如仪表盘灯、氛围灯）提供稳定的电流输出。 6. 工业自动化 - 传感器接口：在工业控制中，用作传感器信号的开关或放大电路的一部分。 - 继电器替代：由于其快速响应和高可靠性，可以替代传统机械继电器用于开关控制。 总结 SI4835DDY-T1-GE3 的小封装尺寸（DFN 封装）、低 Rds(on) 和高工作频率特性，使其非常适合于空间受限且对效率要求较高的应用场合。无论是消费电子、通信设备还是汽车电子，这款 MOSFET 都能提供可靠的性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOICMOSFET 30V 13A 5.6W 1.8mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69953 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay Semiconductors SI4835DDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4835DDY-T1-GE3SI4835DDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 13 ns, 100 ns |
| 下降时间 | 9 ns, 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1960pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4835DDY-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns, 28 ns |
| 功率-最大值 | 5.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4835DDY-GE3 |
.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
