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  • 型号: NTD24N06T4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD24N06T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD24N06T4G价格参考。ON SemiconductorNTD24N06T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD24N06T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD24N06T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD24N06T4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其典型应用场景包括以下方面:

1. 开关电源(SMPS)  
   NTD24N06T4G 具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,非常适合用于开关电源中的功率开关器件。例如,在 DC-DC 转换器、反激式转换器或正激式转换器中,该 MOSFET 可以高效地控制电流的通断,从而实现电压调节。

2. 电机驱动  
   由于其低 Rds(on) 和高电流处理能力,NTD24N06T4G 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。它能够承受电机启动时的瞬态大电流,并保持较低的功耗。

3. 负载开关  
   在消费电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,该 MOSFET 可用作负载开关,用于动态管理不同电路模块的供电状态,从而降低整体功耗。

4. 电池保护电路  
   在电池管理系统(BMS)中,NTD24N06T4G 可用于过流保护、短路保护或防止电池过度放电。其低导通电阻有助于减少电池能量损耗。

5. 逆变器和太阳能微逆变器  
   该 MOSFET 的耐压值为 60V,适用于低压逆变器或太阳能微逆变器中的功率级电路,帮助将直流电转换为交流电。

6. LED 驱动  
   在 LED 照明应用中,NTD24N06T4G 可用于恒流驱动电路,确保 LED 的亮度稳定并延长其使用寿命。

7. 信号放大与缓冲  
   在一些低频信号处理场景中,NTD24N06T4G 可作为信号放大或缓冲的元件,提供足够的电流驱动能力。

总之,NTD24N06T4G 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,特别是在需要高效功率转换和低功耗的场合表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 24A DPAKMOSFET 24V 60A N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

24 A

Id-连续漏极电流

24 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD24N06T4G-

数据手册

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产品型号

NTD24N06T4G

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

62.5 W

Pd-功率耗散

62.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

32 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

32 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

24 ns

下降时间

27 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

48nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

42 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

NTD24N06T4GOSDKR

典型关闭延迟时间

25 ns

功率-最大值

1.36W

功率耗散

62.5 W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

32 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

15 S

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

24 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

24A (Ta)

系列

NTD24N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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