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FDP10N60NZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP10N60NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP10N60NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDP10N60NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 185W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP10N60NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP10N60NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP10N60NZ 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号的应用场景广泛,主要适用于需要高电压和中等电流的功率开关场合。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理 FDP10N60NZ 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器中。其 600V 的耐压能力使其非常适合高压输入环境,例如工业电源或汽车电子中的电源模块。 2. 电机驱动 在电机控制领域,该 MOSFET 可用于驱动中小型电机,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)和有刷直流电机。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高效率。 3. 逆变器和变频器 该器件适用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)以及变频器等设备中,作为功率开关元件,实现高效的电能转换和频率调节。 4. 电磁阀和继电器驱动 在工业自动化设备中,FDP10N60NZ 可用于驱动电磁阀、继电器和其他感性负载,提供快速的开关性能和稳定的运行状态。 5. 电动车和电动工具 该 MOSFET 可用于电动车的电池管理系统(BMS)、电动工具的功率控制电路中,满足高电压和高效能的需求。 6. 照明应用 在 LED 驱动器和高强度气体放电灯(HID)镇流器中,FDP10N60NZ 提供了可靠的开关性能,确保灯具的稳定工作。 7. 保护电路 该器件还可用于过流保护、短路保护等电路设计中,凭借其高耐压特性和快速响应速度,有效保护系统免受异常情况的影响。 总结来说,FDP10N60NZ 的高电压特性、低导通电阻和出色的开关性能,使其成为多种电力电子应用的理想选择,尤其是在需要高效能和高可靠性的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP10N60NZUniFET-II™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP10N60NZ |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 185 W |
| Pd-功率耗散 | 185 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 640 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 640 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 50 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1475pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 70 nS |
| 功率-最大值 | 185W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 640 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 14 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
| 系列 | FDP10N60NZ |
| 配置 | Single |