Datasheet下载- 型号： IRFZ48RPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ48RPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ48RPBF价格参考。VishayIRFZ48RPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFZ48RPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFZ48RPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFZ48RPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： IRFZ48RPBF因其低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电压和电流转换，适用于AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动： 在直流电机或步进电机驱动中，该MOSFET可以用作开关器件，控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压（50V）和大电流（40A）特性使其适合中高功率电机应用。 3. 负载切换： 该型号常用于负载切换电路中，例如汽车电子、工业设备或家用电器中需要快速、可靠地开启或关闭大电流负载的场景。 4. 电池管理系统（BMS）： 在电池保护电路中，IRFZ48RPBF可以作为充电/放电路径的开关，确保电池在过流、过压或短路情况下得到保护。 5. 逆变器和变频器： 在逆变器和变频器中，这款MOSFET可用于功率级电路，实现交流信号的生成或频率调节，支持高效的能量转换。 6. LED驱动： 对于大功率LED照明系统，IRFZ48RPBF可以用作开关器件，提供精确的电流控制，确保LED亮度稳定并延长使用寿命。 7. 脉宽调制（PWM）控制： 在各种PWM控制电路中，该MOSFET能够快速响应高频信号，适用于音频放大器、加热控制器等场景。 总结来说，IRFZ48RPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合，特别是在中高功率级别的工业、消费电子和汽车领域中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220ABMOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFZ48RPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFZ48RPBFIRFZ48RPBF |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 下降时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 43A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFZ48RPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 210 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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