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Datasheet下载- 型号： FDPF18N20FT
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDPF18N20FT产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF18N20FT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF18N20FT价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF18N20FT封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F。您可以下载FDPF18N20FT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF18N20FT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPF18N20FT 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于高效率电源转换系统。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等，因其具备低导通电阻和高耐压特性，有助于提升能效并减少发热。 2. 电机驱动：可用于直流电机或步进电机的控制电路中，提供快速开关响应与良好负载能力。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源及光伏逆变器中作为核心开关元件，实现电能形式的高效转换。 4. 电池管理系统：在电动车或储能设备中用于电池充放电控制，支持高电流且损耗低。 5. 照明系统：如LED驱动电源中，用于稳定电流输出，提高灯具寿命与效率。 该器件具有较高的耐用性和热稳定性，适合工业级应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3MOSFET UniFET 200V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF18N20FTUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF18N20FT |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 41 W |
| Pd-功率耗散 | 41 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 41W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-220F |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 13.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | FDPF18N20FT |
| 配置 | Single |
