Datasheet下载- 型号： BSP372NH6327XTSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP372NH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP372NH6327XTSA1价格参考。InfineonBSP372NH6327XTSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSP372NH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP372NH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的BSP372NH6327XTSA1是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动：在小型电机控制应用中，例如无人机、电动工具、家用电器等，这款MOSFET可以作为开关元件用于高效驱动和控制电机运行。 3. 电池保护与管理系统：用于锂离子电池组或其它可充电电池系统的充放电保护电路中，确保过流、短路及过温情况下的安全性。 4. 负载切换：在汽车电子、工业自动化设备以及消费类电子产品中用作负载开关，实现对不同负载的有效管理和快速响应。 5. 通信基础设施：适用于基站、路由器等通讯设备中的信号处理和功率放大电路部分，提供稳定可靠的性能表现。 6. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等领域，利用其高效能特点来满足现代电子产品的高功率密度需求。 总之，BSP372NH6327XTSA1凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式，在众多需要高效能量转换和精确控制的应用场合中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BSP372NH6327XTSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 218µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 329pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 1.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | SP001059326 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Ta） |
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