Datasheet下载- 型号： STB6N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB6N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB6N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTB6N60M2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB6N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB6N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB6N60M2是一款N沟道增强型MOSFET，常用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。其主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：适用于笔记本电脑、手机等电子设备的高效能电源适配器和充电器，提供稳定的电源转换效率。 2. DC-DC转换器：用于各类电子设备中的DC-DC转换电路，实现高效的电压调节，适用于通信设备、工业控制系统等。 3. 电机控制：在电动工具、家用电器和工业电机驱动中，STB6N60M2用于控制电机的速度和方向，具备良好的导通和开关性能。 4. 照明系统：如LED照明驱动电路中，用于高效能电源管理和调光控制。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、电机驱动和照明控制等场景，具备良好的温度稳定性和抗干扰能力。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压（600V）和良好的热稳定性，适合高频开关应用，有助于提高系统效率并减小散热设计的复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V D2PAKMOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB6N60M2MDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB6N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.06 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.06 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 7.4 ns |
| 下降时间 | 22.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 232pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-13934-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.06 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
| 系列 | STB6N60M2 |
| 配置 | Single |
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