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Datasheet下载- 型号： FQB34N20LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB34N20LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB34N20LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB34N20LTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB34N20LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB34N20LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB34N20LTM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器等，因其具有低导通电阻和高效率特性，有助于提高能源利用率。 2. 电机控制：用于直流电机、步进电机的驱动电路中，实现对电机启停、转速和方向的精确控制。 3. 负载开关：作为高效电子开关使用，控制高电流负载如LED照明、加热元件等。 4. 逆变器与变频器：在UPS不间断电源、太阳能逆变器及工业变频设备中，用于实现电能形式的转换。 5. 汽车电子：适用于汽车电源系统、车载充电设备等对可靠性要求较高的场景。 该器件具有200V耐压、34A电流能力，采用TO-252封装，适合中高功率应用，具备良好的热稳定性和耐用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAKMOSFET 200V Single |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 31 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB34N20LTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQB34N20LTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 520 ns |
| 下降时间 | 370 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 15.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FQB34N20LTMTR |
| 典型关闭延迟时间 | 170 ns |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 41 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 系列 | FQB34N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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