Datasheet下载- 型号： SI3430DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3430DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3430DV-T1-E3价格参考。VishaySI3430DV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3430DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3430DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3430DV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：SI3430DV-T1-E3 可用作同步整流器或开关管，在降压、升压或升降压转换器中实现高效的能量转换。 - 负载开关：在便携式设备中，该 MOSFET 可作为负载开关，用于控制电路的开启与关闭，同时减少功耗。 - 电池管理系统 (BMS)：用于保护电池组免受过流、短路和反向电流的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小型电机驱动，提供高效的开关性能。 - H 桥电路：在需要双向控制的电机应用中，该 MOSFET 可用于构建 H 桥以实现正反转功能。 3. 信号切换 - 高速信号切换：由于其低栅极电荷和快速开关特性，SI3430DV-T1-E3 可用于高频信号切换场合。 - 多路复用器：在通信设备或多通道系统中，用于切换不同的信号路径。 4. 保护电路 - 过流保护：通过检测 MOSFET 的导通电阻上的电压降，可实现对电路的过流保护。 - 热插拔保护：在服务器、存储设备等应用中，防止因热插拔引起的电流冲击。 5. 消费电子产品 - 笔记本电脑和智能手机充电器：作为功率级器件，用于提高充电效率并降低发热。 - 音频放大器：在低功率音频设备中，用作输出级开关以驱动扬声器。 6. 工业应用 - LED 驱动器：在大功率 LED 照明系统中，用于调节电流以确保亮度一致。 - 工业控制器：在自动化设备中，用作开关元件以控制传感器或其他外围设备。 特性总结 - 低导通电阻（典型值为 7.5 mΩ @ Vgs = 4.5V）：降低传导损耗，提高效率。 - 高电流能力（连续漏极电流可达 9.7 A）：适合中高功率应用。 - 小封装尺寸（DFN2020-6L）：节省 PCB 空间，适合紧凑设计。 综上所述，SI3430DV-T1-E3 凭借其高性能和紧凑设计，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及电源管理等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOPMOSFET 100V 8A 2W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71235 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3430DV-T1-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3430DV-T1-E3SI3430DV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.14 W |
| Pd-功率耗散 | 1.14 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 170 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3430DV-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3430DV-E3 |
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