Datasheet下载- 型号： ZXMN15A27KTC
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN15A27KTC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN15A27KTC价格参考。Diodes Inc.ZXMN15A27KTC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN15A27KTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN15A27KTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN15A27KTC 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：该 MOSFET 可用于降压或升压转换器中的开关元件，实现高效的电压调节。 - 负载开关：在需要动态控制电流流动的场合（如便携式设备），ZXMN15A27KTC 可作为负载开关使用。 - 线性稳压器 (LDO)：用作 LDO 的旁路开关或保护元件。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于低功率电机驱动电路，例如玩具、风扇或微型泵等应用。 - H 桥电路：可与其他 MOSFET 配合构成 H 桥，用于双向电机控制。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池充放电保护：在锂电池或其他可充电电池组中，作为充放电路径的开关元件。 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，减少功耗并提高保护效率。 4. 信号切换 - 模拟信号切换：在多路复用器或多路选择器中，用作信号通道的开关。 - 高速数据切换：适用于低频至中频范围内的信号切换需求。 5. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块。 - 音频设备：在低功率音频放大器中用作输出级开关。 6. 工业与汽车 - 传感器接口：为各种工业传感器提供电源或信号隔离。 - 汽车电子：可用于车载信息娱乐系统、车窗升降器等低功率应用。 特性优势： - 低导通电阻 (Rds(on))：降低功耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用场合。 - 小封装尺寸：节省 PCB 空间，便于小型化设计。 综上所述，ZXMN15A27KTC 凭借其优异的性能和紧凑的设计，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAKMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN15A27KTC- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN15A27KTC |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 4.2 W |
| Pd-功率耗散 | 4.2 W |
| Qg-GateCharge | 6.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 650 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 650 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V |
| 上升时间 | 12.7 ns |
| 下降时间 | 13.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 169pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 650 毫欧 @ 2.15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | ZXMN15A27KTCTR |
| 典型关闭延迟时间 | 17.1 ns |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 2.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
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