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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2279H-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2279H-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2279H-EL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HAT2279H-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HAT2279H-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的HAT2279H-EL-E是一款单N沟道MOSFET,适用于需要高效、低导通电阻和快速开关性能的电源管理与功率控制场景。该器件常用于以下应用场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制:在小型电机驱动或步进电机控制电路中,用于实现精确的开关控制和节能运行。 3. 电池供电设备:如便携式电子产品、无人机和电动工具,利用其低导通电阻(Rds(on))特性,减少功率损耗,延长电池续航。 4. 工业自动化:作为开关元件用于PLC、传感器模块和工业控制设备中,提供可靠和高效的功率切换。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动或辅助电机控制,满足汽车应用中对稳定性和效率的要求。 该MOSFET具有高耐压、低导通电阻和小封装特点,适合空间受限、效率要求高的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | HAT2279H-EL-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3520pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 15A,10V |
供应商器件封装 | LFPAK |
功率-最大值 | 25W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Ta) |