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Datasheet下载- 型号： BUK965R8-100E,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK965R8-100E,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK965R8-100E,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK965R8-100E,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK965R8-100E,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 100V 120A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载BUK965R8-100E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK965R8-100E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK965R8-100E,118 是一款高性能的N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有100V漏源电压（VDS）和低导通电阻（典型值约5.8mΩ），适用于高效率、大电流开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中，因其低导通电阻可减少导通损耗，提高能效。 2. 电机驱动：在工业控制、电动工具和家用电器中的电机驱动电路中，BUK965R8-100E能够高效地控制电机启停与调速，具备良好的热稳定性和可靠性。 3. 照明系统：用于LED驱动电源，特别是在高亮度LED照明或汽车照明中，支持恒流控制和快速开关响应。 4. 消费电子：应用于笔记本电脑、显示器、游戏设备等产品的电源模块中，满足小型化和高效率的设计需求。 5. 汽车电子：虽然非车规级，但在部分车载辅助电源系统或低压车载设备中也可使用，如车载充电器或电源分配模块。 6. 工业与自动化：用于负载开关、继电器替代、电源冗余切换等场合，提供快速响应和高可靠性。 该MOSFET采用TrenchMOS技术，具有优异的开关性能和热特性，封装为SOT78（TO-220），便于散热和安装，适合通孔焊接，广泛应用于中高功率密度设计中。总体而言，BUK965R8-100E,118是一款通用型高效功率开关器件，适用于多种需要低损耗、高可靠性的电源与控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK965R8-100E,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17460pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 133nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 25A，5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9570-2 |
| 功率-最大值 | 357W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
