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Datasheet下载- 型号： SI7462DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7462DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7462DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7462DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7462DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 2.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7462DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7462DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7462DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件采用 8-SOIC 封装，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和负载开关场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器和稳压电路中，提升转换效率并减少能量损耗。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式仪器，用于电池充放电管理与负载开关控制。 3. 电机驱动与继电器替代：在小型电机或继电器控制电路中，作为高效开关使用，提高响应速度并延长使用寿命。 4. 工业自动化：用于 PLC、传感器模块及工业控制系统中的电源切换和负载控制。 5. 消费电子产品：如智能手机、电源适配器和 LED 驱动电路，实现紧凑设计和高效能表现。 总之，SI7462DP-T1-GE3 凭借其高性能和小封装，广泛应用于对空间和效率有要求的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7462DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7462DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
