Datasheet下载- 型号： SI5401DC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5401DC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5401DC-T1-E3价格参考。VishaySI5401DC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5401DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5401DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5401DC-T1-E3 是一款N沟道增强型MOSFET，采用1.8V逻辑电平兼容设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和小尺寸封装（如PowerPAK SO-8），适用于空间受限且对效率要求高的应用。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关，因其低功耗和高效率，有助于延长电池续航。 2. 电源开关与转换：在DC-DC转换器中作为同步整流或高端/低端开关使用，提升转换效率，减少发热。 3. 电机驱动：适用于微型电机控制，如无人机、电动玩具和小型家电中的直流电机驱动电路。 4. 热插拔与负载保护：用于USB接口、电源模块等需要过流保护和软启动功能的场合，防止浪涌电流损坏系统。 5. LED驱动与照明控制：在背光调节或LED开关电路中实现高效通断控制。 6. 工业与消费类电子产品：如智能家居设备、传感器模块和嵌入式控制系统中，作为信号或功率开关元件。 SI5401DC-T1-E3凭借其高可靠性、快速开关特性和优良的热性能，在需要小型化与高性能平衡的应用中表现突出，特别适合高密度PCB布局设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5401DC-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5401DC-T1-E3CT |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Ta） |
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